chemical vapor deposition; Hot-Wall CVD reactor; on-axis; X-ray topography; AFM; SWBXT;
机译:在添加了HC1的Si轴6H和4H-SiC轴上生长的同质外延层
机译:在2°切角硅面衬底上生长的4H-SiC外延层的改进
机译:在轴上4H-SiC上生长的双位置边界自由3C-SiC外延层
机译:在轴上生长的4H-SIC外延层基础
机译:基于外延锗层的金属氧化物半导体器件,通过超高真空化学气相沉积直接在硅衬底上选择性生长
机译:影响3C夹杂物发生的因素的调查用于轴上的轴C面4H-SIC外延层
机译:同轴Si面衬底上生长的4H-SiC外延层