single-domain; heteroepitaxy; vapor-liquid-solid mechanism; germanium;
机译:在6H-SiC(0001)上生长3C-SiC单畴层的气液固机理
机译:通过气-液-固机理表征在6H-SiC(0001)上生长的3C-SiC单畴
机译:通过气液固机理在4H-SiC衬底上使用Si-Ge熔体进行3C-SiC异质外延生长
机译:如何通过气相 - 固体机制在α-SiC(0001)上生长3C-SiC单结构域
机译:通过升华法生长的块状3C-SiC单晶的研究。
机译:使用3C-SiC-on-SiC种子堆叠在块状(100)3C-SiC气相生长过程中的局限性
机译:取向4H-SiC衬底上的单畴3C-SiC生长