机译:超薄常关AlGaN / GaN MOSHEMT的电容和阈值电压建模
机译:结构参数对常关型p-GaN / AlGaN / GaN晶体管阈值电压影响的仿真
机译:AlGaN / GaN纳米线沟道高电子迁移率晶体管基于物理的阈值电压模型
机译:基于物理基于常压AlGaN / GaN FinFET的阈值电压的分析模型
机译:基于物理的AlGaN / GaN HFET紧凑模型,可在电路模拟器中实现。
机译:宽带隙GaN基HEMT功率器件中取决于高温操作的阈值电压稳定性的模型开发
机译:基于氟化物的等离子体处理控制alGaN / GaN HEmT的阈值电压:从耗尽模式到增强模式
机译:开发基于物理的alGaN / GaN HEmT有限元模型,该模型能够适应工艺和外延变化并使用多个DC参数进行校准(后印刷)