机译:本地寿命控制IGBT结构在1200V沟槽与新型平面PT-IGBT之间进行硬和软切换时的关断性能比较
机译:1200V沟槽栅极IGBT:局部寿命控制和穿通结构切割V
机译:用于电源控制系统和汽车应用的非穿通沟槽栅极场截止IGBT的性能
机译:使用高温局部寿命控制的1200V新型穿通IGBT的软开关性能
机译:可变寿命P-I-N二极管的物理模型和绝缘栅双极晶体管(IGBT)的二维效应
机译:用IGBT H桥和双向降压对低成本4G器件进行控制的压电能量收集
机译:1200V 100A SIC MOSFET和1200V 100A硅IGBT的性能比较