首页> 中文期刊>电力电子 >采用高级3.3kV IGBT3芯片技术并具有高机械性能的高功率IGBT模块

采用高级3.3kV IGBT3芯片技术并具有高机械性能的高功率IGBT模块

     

摘要

新型功率电子器件通常要求更高的功率密度、可靠性和更简单的封装形式;具有比现有产品更高的;占片热效率和电气效率,以及更高的健壮性和模块可靠性,同时兼容现有的设计,已成为最新模块开发的目标。

著录项

相似文献

  • 中文文献
  • 外文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号