IC gallium-arsenide process; metrology; sidewall profile; CD monitoring; gauge repeatability and reproducibility;
机译:使用层转印技术的半英寸Si晶片上的Ingaas照片效应 - 晶体管(Photofets)
机译:利用通过两步退火工艺在GaAs衬底上生长的CdTe缓冲层提高Hg_(1-x)Cd_xTe外延层的结晶度和电性能
机译:基于HgCdTe的色带层和具有GaAs / AlGaAs量子阱的结构的红外光电探测器模块
机译:6英寸GaAs IC过程中临界照片层的CD监测
机译:减少在GaAs底物上生长在GaAs底物上的喘气脱位,用于光伏和蒸煮器应用
机译:数据集表示Cu(InGa)Se光伏电池中无Cd的AlGaAs缓冲层间接带隙区域的影响
机译:错误:光透射区域直径对GaAs薄层漂白的皮秒放松的影响半导体32,484-487(1998年5月);来自GaAs薄层中PICOSECOND光脉冲的间带吸收产生的刺激发射光谱半导体32,479-483(1998年5月)
机译:用于alxGa(1-x)as / Gaas mOsFET和相关异质结器件的Gaas和p + Gaas层的半导体器件处理蚀刻剂溶液的表征