首页> 外文OA文献 >Erratum: Effect of the diameter of the photoexcited region on the picosecond relaxation of bleaching in a thin layer of GaAs Semiconductors 32, 484–487 (May 1998); Stimulated-emission spectrum arising from interband absorption of a picosecond optical pulse in a thin layer of GAas Semiconductors 32, 479–483 (May 1998)

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Erratum: Effect of the diameter of the photoexcited region on the picosecond relaxation of bleaching in a thin layer of GaAs Semiconductors 32, 484–487 (May 1998); Stimulated-emission spectrum arising from interband absorption of a picosecond optical pulse in a thin layer of GAas Semiconductors 32, 479–483 (May 1998)

机译：错误：光透射区域直径对GaAs薄层漂白的皮秒放松的影响半导体32,484-487（1998年5月）;来自GaAs薄层中PICOSECOND光脉冲的间带吸收产生的刺激发射光谱半导体32,479-483（1998年5月）

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I. L. Bronevoi; A. N. Krivonosov;
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年度 1999
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