interfaces; semiconducting III-V materials; alloys; molecular beam epitaxy; bridgman technique;
机译:通过分子束外延生长在(411)A和(100)取向的InGaAs三元衬底上生长的晶格匹配的In_xGa_1-xAs / In_xAl_1-xAs量子阱(x = 0.18和0.19)
机译:射频分子束外延在3C-SiC衬底上生长的立方In_xGa_(1-x)N / GaN多量子阱中局部激子的复合动力学
机译:通过分子束外延优化晶格匹配的In_xAl_(1-x)N / GaN异质结构的生长
机译:用分子束外延产生的量子阱(x xAl_(1-x)作为量子孔(x = 0.18和0.19)作为量子孔(x = 0.18和0.19),通过分子束外延生长(411) - 和(1 00)的Ingaas三元基质
机译:砷化镓/铝(x)-砷化镓(1-x)量子阱激光器通过分子束外延生长在砷化镓和硅上。
机译:分子束外延生长的分子束外延和GaAsBi / GaAs量子阱的性质:热退火的影响
机译:Ga和N极的发光效率比较 在$ _ {x} $ Ga $ _ {1-x} $ N / In $ _ {y} $ Ga $ _ {1-y} $ N量子井中生长 等离子体辅助分子束外延
机译:分子束外延生长Zn(1-x)mn(x)Te的生长和光学表征