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【24h】

Poly Silicon Deposition Process Improvement on 300 mm Wafers (PC23)

机译:300 mm晶片(PC23)上的聚硅沉积工艺改进

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摘要

This paper presents the application of advanced process control (APC) to tighten the distribution of LPCVD deposited polysilicon thickness during device manufacturing on 300 mm wafers. Using APC, a 40% reduction in thickness variation is achieved. This improvement is possible by 1) automatically feeding back deposition time adjustments, 2) introduction of load size based compensation and 3) optimizing the response factor in the feed back loop.
机译:本文介绍了先进的过程控制(APC)在300mm晶片上拧紧器件制造期间LPCVD沉积多晶硅厚度的分布。使用APC,实现厚度变化的40%降低。这种改进是可以通过1)自动馈送沉积时间调整,2)基于负载尺寸的补偿和3)优化馈回循环中的响应因子。

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