机译:SiO2 / SiC界面在2度偏轴4H-SiC外延层上的电性能
机译:硅酸镧界面层对4H-SiC金属氧化物半导体电容器电学特性的影响
机译:变薄GaN缓冲层和界面层对GaN-on-Diamond电子器件中热和电性能的影响
机译:电应力对具有薄SiO2界面缓冲层的Al2O3基4H-SiC MOS电容器的影响
机译:通过异质外延GaN薄膜中的缓冲层控制应力和缺陷
机译:具有埋沟道层的非晶InGaZnO薄膜晶体管的电性能和偏压应力稳定性
机译:SiC / SiO2在基于N基的4H-SiC MOS电容器中的界面特性,用PECVD制造,没有退火工艺