component; nanowires; doping distribution; surface depletion; impurity distribution;
机译:使用金属催化化学气相沉积法生长的p掺杂硅纳米线的表面耗尽厚度
机译:金属催化化学气相沉积法合成硅纳米带
机译:硅上自催化GaAs / AlGaAs核壳纳米线的最佳壳层厚度的确定
机译:使用金属催化CVD工艺合成P掺杂硅氧化硅纳米线表面耗尽厚度的测定
机译:通过气液固生长过程合成的p型和n型硅纳米线的接触研究
机译:通过以溶解氧为氧化剂的底物增强金属催化的硅化学刻蚀连续生产硅纳米线
机译:金属催化CVD法合成p掺杂硅纳米线表面耗尽厚度的测定
机译:应用于原位p掺杂多晶硅LpCVD的设备建模方法比较