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机译:评估250nm DUV光刻的4X颗粒
Sewell H.; Deluca N.; Institute of Electric and Electronic Engineer;
机译:用于防止光刻系统中掩模版滑移的压电驱动掩模版辅助装置的设计和控制
机译:负193 nm DUV抗蚀剂对45 nm节点的评估:光刻,蚀刻和植入过程中的降解动力学
机译:交替相移掩模版的相增强DUV检查
机译:用于250nm DUV光刻的4X标线的评估
机译:用于光刻的DUV和EUV光掩模中非平面相和多层缺陷的快速仿真方法。
机译:标准掩模版幻灯片可客观评估成像质谱中的空间分辨率和仪器性能
机译:250nm光刻,步进和扫描。
机译:用于EUV光刻的EUV EUV DUV面罩EUV光刻设备和确定由DUV辐射引起的对比度比例的方法
机译:缺陷例如晶体生长缺陷,光刻掩模,即掩模版的检测方法,以产生例如集成电路,涉及检查图像集上的缺陷以评估图像中重复缺陷的存在
机译:用于euv光刻的掩模,euv光刻设备和用于确定由duv辐射引起的对比度的方法
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