SiGe quantum well MOS structure; ultrathin gate oxide; interface trap density;
机译:SiGe量子阱MOS结构的[4-7 nm]超薄栅氧化物的特性
机译:利用超薄氧化物MOSFET的栅极电流低频噪声缓慢提取氧化物陷阱密度分布
机译:具有低界面陷阱密度和低栅极泄漏电流密度的1nm电容等效厚度HfO2 / Al2O3 / InGaAs金属氧化物半导体结构
机译:低陷阱密度超薄的生长和特性超薄液相色谱柱结构
机译:使用门控霍尔法提取InGaAs金属氧化物半导体结构中的载流子迁移率和界面陷阱密度。
机译:在存在随机界面陷阱的情况下16nm栅极高κ/金属栅极体FinFET器件的电特性波动
机译:通过低温自由基诱导氧化高质量的高质量超大性结构CMOS应用的高质量超薄栅极氧化物
机译:第4章超薄金属薄膜,合金和相关低维结构的生长和性质中的量子尺寸效应。