机译:SiGe量子阱MOS结构的[4-7 nm]超薄栅氧化物的特性
机译:具有热生长氧化物的门控Si:SiGe量子阱中的迁移率降低
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机译:基于90nm SOI CMOS工艺的H-Gate超薄栅极氧化物部分耗尽的SOI pMOS和nMOS器件中浮体电位的比较
机译:低陷阱密度超薄的生长和特性超薄液相色谱柱结构
机译:将超薄(1.6-2.0 nm)RPECVD堆叠的氧化物/氮氧化物栅极电介质集成到双多晶硅栅极亚微米CMOSFET中。
机译:用有限元和本征模展开法研究超结构光纤布拉格光栅的周期和光谱特性
机译:通过低温自由基诱导氧化高质量的高质量超大性结构CMOS应用的高质量超薄栅极氧化物
机译:具有快速生长的超薄siO2栅极绝缘体的mOs(金属氧化物半导体)器件的界面和击穿特性。