机译:利用超薄氧化物MOSFET的栅极电流低频噪声缓慢提取氧化物陷阱密度分布
IES - Universite Montpellier Ⅱ- UMR CNRS 5214, Place E. Bataillon, 34095 Montpellier Cedex 5, France;
Green's function; low frequency noise; trap profiles;
机译:诸如布置等隧道电流噪声测量中硅纳米线MOSFET中的氧化物边缘捕获密度提取
机译:低频噪声评估1nm EOT金属栅极最后CMOS晶体管的氧化物陷阱密度和轮廓
机译:从金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的栅极泄漏电流(I_g RTN)中的随机电报噪声中提取陷阱能量和位置
机译:低频噪声分析提取慢速氧化阱谱:热电诱导降解的应用
机译:使用门控霍尔法提取InGaAs金属氧化物半导体结构中的载流子迁移率和界面陷阱密度。
机译:面向低电压低能耗的超薄绝缘体上硅MOSFET低频噪声行为的经验和理论模型
机译:由于价带电子隧穿引起的超薄氧化物n-mOsFET中的过量低频噪声
机译:mOsFET中的1 / f噪声和氧化物陷阱