A new poly-Si TFTs with low leakage current

机译：具有低漏电流的新多型TFT

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We have proposed and fabricated several; novel poly-Si TFTs for reducing leakage current without any additional process step and decrasing ON-current.

机译：我们提出并制作了几个;用于减少漏电流的新型多晶硅TFT，无需任何额外的工艺步骤和导通电流。

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来源
《Symposium on thin film transistor technologies》|1999年||共16页
会议地点
作者
Min-Koo han; Cheol-Min Park; Electrochemical Society Inc.;
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正文语种
中图分类半导体三极管（晶体管）;
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