机译:在超薄(2.4-6 nm)栅极氧化物上使用远程PECVD顶部氮化物沉积来提高P + poly MOS器件的栅极介电可靠性
机译:通过远程等离子体增强CVD和沉积后快速热退火制备的具有氮化的Si-SiO / sub 2 /界面的超薄氮化硅/氧化物堆叠栅极电介质的PMOSFET的性能和可靠性
机译:用于p / sup +/-多晶硅栅极PMOSFET的超薄氮化物/氧化物(N / O)栅极电介质,通过远程等离子增强CVD /热氧化工艺组合制备
机译:通过在薄栅极氧化物上进行远程PECVD顶部氮化物沉积来提高p / sup + /多晶硅MOS器件的栅极介电可靠性
机译:具有通过RPECVD制备的堆叠氧化物/氮化物和氮氧化物栅极电介质的CMOS器件的故障和可靠性。
机译:CF4等离子体处理HfO2栅电介质的非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管的电性能和可靠性提高
机译:用于纳米级CMOS器件的超薄栅极氧化物和高k电介质的可靠性建模