EUV lithography; chemical amplified resist; outgassing; LWR;
机译:减少下一代EUV光刻的除气段并改善LWR
机译:LWR的抗性材料研究和EUV光刻的分辨率提高
机译:减少乙缩醛光刻中乙缩醛基化学放大抗蚀剂中的除气段
机译:抗蚀剂材料研究EUV光刻的放差减少和改善改善
机译:用于电子束光刻的无机抗蚀剂的开发:新型材料和模拟。
机译:高敏感性抗蚀性对EUV光刻进行抗衡性:材料设计策略和绩效结果综述
机译:EUV光刻中LWR和分辨率改进的抗拒材料研究