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机译:影响铜灌装工艺的因素在高纵横比中3D芯片堆叠的深透筒
Bioh Kim; Sharbono C.; Ritzdorf T.; Schmauch D.;
机译:高纵横比铜灌装过程中电流密度的实验研究
机译:用于三维芯片堆叠的高纵横比铜通孔填充
机译:用于三维堆叠集成电路(3D-SIC)架构的铜硅通孔(TSV)的工艺评估和附着力评估
机译:影响3D芯片堆叠的高深宽比深孔中的铜填充过程的因素
机译:用于三维芯片堆叠应用的填充铜的硅通孔的制造和可靠性测试。
机译:具有高长宽比结构的3D片内电磁线圈的粉末填充和烧结
机译:硅晶片通过叠层交易芯片多处理器的3D芯片网络
机译:3D一种通过TSV技术电镀铜以高纵横比进行3D铜互连的微孔填充方法
机译:TSV技术用于高纵横比3D铜互连的铜电镀微孔的方法
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