Electrodes; Ultrasonic transducers; Transducers; System integration; Transceivers; Surface treatment; Aluminum nitride;
机译:功能性CMOS兼容MEMS热电探测器,使用12%掺杂的氮化钪
机译:8英寸晶片级CMOS的考虑兼容ALN热电5-14μm波长IR检测器,朝向微型集成光子测量气体传感器
机译:基于AlN / SiO 2 sub> / Si 3 sub> N 4 sub> / Si(100)的CMOS兼容表面声波滤波器,最小插入量为-12.8dB失利
机译:预处理CMOS基板上的单片AlN PMUT
机译:用于AlGaN / GaN和InAlN / GaN二极管以及在硅(111)衬底上生长的高迁移率晶体管的CMOS兼容氧化钌肖特基接触的研究。
机译:适用于AlN PMUT阵列的微型0.13μmCMOS前端模拟
机译:与cmos兼容的工艺可改善高掺杂衬底上的射频性能