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薄外延CMOS芯片阱掺杂浓度与击穿电压的关系

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摘要

CMOS电路由于寄生结构的影响,易于发生闩锁效应.主要通过流片实验测试验证,探讨了在外延厚度较薄的情况下阱掺杂浓度与击穿电压之间的关系.提出了在不改变外延厚度、保证芯片抗闩锁性能的前提下,提高CMOS器件击穿电压的方法.

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来源
《电子与封装》 |2016年第8期|37-40|共4页
作者
韩兆芳; 谢达; 乔艳敏;
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作者单位

中国电子科技集团公司第58研究所,江苏无锡214035;

中国电子科技集团公司第58研究所,江苏无锡214035;

中国电子科技集团公司第58研究所,江苏无锡214035;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 TN432.1;
关键词
CMOS集成电路; 闩锁效应; 外延片; 穿通击穿;

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