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公开/公告号CN108483391A
专利类型发明专利
公开/公告日2018-09-04
原文格式PDF
申请/专利权人 西安电子科技大学;陕西博纵电子科技有限公司;
申请/专利号CN201810325856.4
发明设计人 费春龙;林鹏飞;刘志勇;李迪;杨银堂;
申请日2018-04-12
分类号
代理机构北京天奇智新知识产权代理有限公司;
代理人陈新胜
地址 710071 陕西省西安市太白南路2号
入库时间 2023-06-19 06:24:22
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-09-04
公开
机译: 在硅基板上沉积C掺杂的AlN层的方法以及由这种层结构构成的半导体器件
机译: 具有集成中心匹配层超声波透镜的高频超声换能器
机译: 具有集成中心匹配层的超声波透镜高频超声换能器
机译:高频超声换能器硅基板上钛酸锆钛酸铅厚膜结构的阻抗响应
机译:使用高频超声针式换能器确定透镜的声学特性。
机译:钪掺杂AlN分层纳米结构中的铁磁性各向异性
机译:9.5%钪掺杂Aln Pmut与预处理的CMOS基材相容
机译:一种新的锡烷和一种新的基于自由基的杂环制备方法。
机译:衰减系数的测量结果用于通过高频超声波换能器针评估白内障透镜的硬度
机译:通过高频超声针换能器评估白内障透镜硬度的衰减系数的测量