酸化濃縮法により作製した圧縮ひずみ(110)面SiGe-OI pMOSFET

摘要

SiGe/Ge-On-Insulator pMOSFETは、高い正孔移動度をもつことから、将来の技術ノードのロジック CMOS のための素子として期待されている。正孔移動度を向上させるためには、圧縮ひずみと(110)面の使用が有効であることが知られている。我々は酸化濃縮プロセスの改良により(100)面GOI構造の圧縮ひずみを高め、高い正孔移動度が実現できることを示した[1, 2]。本研究では、更なる移動度向上のため、(110)SOI上のSiGe層に対して、改良された濃縮プロセスを適用してSGOI層を形成し、この基板上のpMOSFETの特性を評価すると共に、SGOI層の薄膜化を行い、移動度のSGOI膜厚依存性を調べたので報告する[3]。