HEMTs; Microwave oscillators; Wide band gap semiconductors; Microwave amplifiers; MODFETs; Microwave photonics; Aluminum gallium nitride;
机译:用光研究表面陷阱和体陷阱对AlGaN / GaN HEMT中动态Rdson的贡献
机译:C掺杂GaN缓冲液中表面形态和C浓度对自支撑GaN衬底上AlGaN / GaN HEMT击穿电压的影响
机译:温度和紫外线照射对AlGaN / GaN MODFET操作的异常影响
机译:AlGaN / GaN Hemt和GaN MESFET器件中表面状态效果的数值2D模拟
机译:GaN-SiC界面处具有GaN微坑的AlGaN / GaN HEMT中的散热分析
机译:凹入式栅极结构对具有薄AlOxNy MIS栅极的AlGaN / GaN-on-SiC MIS-HEMT的影响
机译:alInN / GaN HEmT的电学性能。与具有相似工艺的alGaN / GaN HEmT的比较
机译:紫外激光辅助三维原子探针分析alGaN / GaN HEmT的可行性研究。