机译:温度和紫外线照射对AlGaN / GaN MODFET操作的异常影响
Lane Department of Computer Science and Electrical Engineering, West Virginia University, Morgan-town, WV 26506-6109, USA;
enhancement-mode; MODFET; current collapse; annealing;
机译:低温下AlGaN / GaN MODFET的漏极电流-电压异常特性
机译:AlGaN / GaN HFET中观察到的缓慢瞬变:SiN / sub x /钝化和紫外线照射的影响
机译:基于高温非常低频噪声的AlGaN / GaN MODFET慢瞬态研究
机译:低温下AlGaN / GaN MODFET的漏极电流-电压异常特性
机译:高性能紫外线光电探测器和LED和光电探测器的单片集成在SI上生长的P-GAN / AlGaN / GaN异质结构上的LED和PhotoTopetector
机译:薄Algan屏障PT-AlGaN / GaN HEMT气体传感器的响应增强在高温下源连接栅极配置
机译:照明对GaN / AlGaN / GaN异质结构和异质结构场效应晶体管电特性的影响以及通过适当的表面钝化消除
机译:温度和电子辐射对alGaN / GaN异质结构场效应晶体管电性能的影响