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【24h】

Ti/HfO_2/Au-ReRAMにおけるRESET時の電圧パルス下抵抗変化挙動へのHfO_2膜の膜質の相違が与える影響

机译:HFO_2膜膜质量差异对Ti / HFO_2 / Au-reram复位电压脉冲电阻变化行为的影响

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摘要

近年、ニューラルコンピューティング分野にて、ReRAMの人工シナプス素子への応用が注目されている[1-2]. ReRAMの人工シナプス素子応用においては、パルス電圧列の印加による連続的な抵抗変化が求められる。今回我々はTi/HfO_2/Au構造のReRAMにおいて、絶縁体層HfO_2のスパッタ条件を変化させて、RESET時の抵抗変化挙動が連続的となる条件について検討を行った.
机译:近年来,在神经计算领域,对纪念人的人工突触装置的应用是吸引注意力[1-2]。在人工突触装置的应用中,需要脉冲电压柱的施加引起的连续电阻变化是可能的。这次我们检查了在Ti / Hfo_2 / Au结构的焦朗中改变了绝缘层Hfo_2的电阻变化行为的条件,并且复位时的电阻变化行为是连续的。

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