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Ti膜及TiN膜的成膜方法

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摘要

本发明中，将衬底的硅化镍膜表面清洁化后，由使用Ti化合物气体的CVD进行膜厚2nm以上、不满10nm的Ti膜的成膜，氮化该Ti膜，再在氮化后的Ti膜上使用Ti化合物气体以及含有N及H的气体通过CVD进行TiN膜的成膜。

著录项

  • 公开/公告号CN100474517C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2009-04-01

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 东京毅力科创株式会社;

    申请/专利号CN200580000473.0

  • 发明设计人 多田国弘;成嶋健索;若林哲;

    申请日2005-04-08

  • 分类号H01L21/28(20060101);C23C16/14(20060101);C23C16/34(20060101);H01L21/285(20060101);H01L21/768(20060101);

  • 代理机构11322 北京尚诚知识产权代理有限公司;

  • 代理人龙淳

  • 地址 日本东京

  • 入库时间 2022-08-23 09:02:12

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2014-05-28

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/28 授权公告日:20090401 终止日期:20130408 申请日:20050408

    专利权的终止

  • 2009-04-01

    授权

    授权

  • 2006-09-13

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2006-07-19

    公开

    公开

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