InP基板上Ⅱ-Ⅵ族半導体レーザ構造におけるp側ヘテロ接合の基礎検討

摘要

はじめに：InP基板上Ⅱ-Ⅵ族半導体は黄色/緑色レーザ材料として期待される。我々はこれまで当該材料を用いて低温（77K）でのレーザ発振を得ているが[1]、室温発振等の特性向上には至っていない。その原因の一つとしてp側のヘテロ接合における価電子帯でのヘテロ障壁が挙げられる。即ち、材料の組み合わせや各層の組成に依っては価電子帯に、p クラッド層から活性層への正孔注入に対して障壁が生じ、特性劣化の原因になっていると考えられる。ここでは、上述のヘテロ障壁や光閉じ込め等の特性を考慮しながら各層の組成や層厚との関係を調べ、レーザ構造の最適化について検討したので報告する。