首页> 外文会议>Electron Devices Meeting, 1994. IEDM '94. Technical Digest., International >An advanced calibration method for modelling oxidation andmechanical stress in sub-micron CMOS isolation structures
【24h】

An advanced calibration method for modelling oxidation andmechanical stress in sub-micron CMOS isolation structures

机译:用于模拟氧化和氧化的先进校准方法亚微米CMOS隔离结构中的机械应力

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摘要

A new approach is to provide accurate simulation of both oxidationtopography and mechanical stress in LOCOS-derived isolation structuresforecast for 0.25 μm CMOS is presented. Advanced modelling andcharacterisation have been used to calibrate 2D oxidation and stressanalysis models with account of the measurement instrumental responsefunction. A revision to the mechanical properties of thin nitride andoxide layers is proposed to explain the results
机译:一种新方法是提供两种氧化的精确模拟 LOCOS衍生的隔离结构中的形貌和机械应力 给出了0.25μmCMOS的预测值。高级建模和 表征已用于校准2D氧化和应力 考虑测量仪器响应的分析模型 功能。对薄氮化物和 建议使用氧化层来解释结果

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