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Electron Devices Meeting, 1994. IEDM '94. Technical Digest., International

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召开地：San Francisco, CA
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1.A novel embedded SRAM technology with 10-μm2full-CMOS cells for 0.25-μm logic devices

机译：具有10μm 2 的新型嵌入式SRAM技术适用于0.25μm逻辑器件的全CMOS单元
- 作者：Izawa T.;Katsube M.;Yokoyama Y.;Hashimoto K.;Kawamura E.;Shimizu A.;Takagi H.;Inoue F.;Shimizu H.;Furumochi K.;Goto H.;Kawamura S.;Watanabe K.;Aoyama K.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 1994. IEDM '94. Technical Digest., International》
2.Conductance oscillations of a Si single electron transistor at roomtemperature

机译：硅单电子晶体管在室温下的电导振荡温度
- 作者：Takahashi Y.;Nagase M.;Namatsu H.;Kurihara K.;Iwdate K.;Nakajima Y.;Horiguchi S.;Murase K.;Tabe M.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 1994. IEDM '94. Technical Digest., International》
3.A 0.29-μm2 MIM-CROWN cell and process technologiesfor 1-gigabit DRAMs

机译：0.29μm 2 MIM-CROWN电池和工艺技术适用于1 Gb DRAM
- 作者：Kaga T.;Sudoh Y.;Goto H.;Shoji K.;Kisu T.;Yamashita H.;Nagai R.;Iijima S.;Ohkura M.;Murai F.;Tanaka T.;Goto Y.;Yokoyama N.;Horiguchi M.;Isoda M.;Nishida T.;Takeda E.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 1994. IEDM '94. Technical Digest., International》
4.A 0.4-μm2 self-aligned contactless memory celltechnology suitable for 256-Mbit flash memories

机译：一个0.4μm 2 自对准非接触存储单元适用于256 Mb闪存的技术
- 作者：Kato M.;Adachi T.;Tanaka T.;Sato A.;Kobayashi T.;Sudo Y.;Morimoto T.;Kume H.;Nishida T.;Kimura K.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 1994. IEDM '94. Technical Digest., International》
5.1.3 μm monolithic integrated optoelectronic receiver usingInGaAs MSM photodiode and AlGaAs/GaAs HEMTs grown on GaAs

机译：1.3μm单片集成光电接收器，采用在GaAs上生长的InGaAs MSM光电二极管和AlGaAs / GaAs HEMT
- 作者：Hurm V.;Benz W.;Berroth M.;Fink T.;Fritzsche D.;Haupt M.;Hofmann P.;Kohler K.;Ludwig M.;Mause K.;Raynor B.;Rosenzweig J.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 1994. IEDM '94. Technical Digest., International》
6.Si/Si_1-x-yGe_xC_y/Si heterojunctionbipolar transistors

机译：Si / Si 1-x-y Ge x C y y /异质结双极晶体管
- 作者：Lanzerotti L.D.;St. Amour A.;Liu C.W.;Sturm J.C.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 1994. IEDM '94. Technical Digest., International》
7.Impact-actuated linear microvibromotor for micro-optical systems onsilicon

机译：用于微光学系统的冲击驱动线性微振动电机硅
- 作者：Tien N.C.;Daneman M.;Solgaard O.;Lau K.Y.;Muller R.S.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 1994. IEDM '94. Technical Digest., International》
8.Erbium doped silicon light emitters

机译：掺do硅发光体
- 作者：Michel J.;Zhang B.;Pen F.;Gupta R.;Palm J.;Kimerling L.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 1994. IEDM '94. Technical Digest., International》
9.Grating light valves for high resolution displays

机译：用于高分辨率显示器的光栅光阀
- 作者：Bloom D.M.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 1994. IEDM '94. Technical Digest., International》
10.A relaxation time approach to model the non-quasi-static transienteffects in MOSFETs

机译：松弛时间方法来模拟非准静态瞬变MOSFET中的效应
- 作者：Mansun Chan;Kelvin Hui;Neff R.;Chenming Hu;Ping Keung Ko
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 1994. IEDM '94. Technical Digest., International》
11.FOND (Fully Overlapped Nitride-etch defined Device): a new devicearchitecture for high-reliability and high-performance deep submicronCMOS technology

机译：FOND（完全重叠的氮化物蚀刻定义设备）：新设备高可靠性和高性能深亚微米架构CMOS技术
- 作者：Mieville J.-P.;Van den Bosch G.;Deferm L.;Bellens R.;Groeseneken G.;Maes H.E.;Schoenmaker W.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 1994. IEDM '94. Technical Digest., International》
12.A 0.67 μm2 self-aligned shallow trench isolation cell(SA-STI cell) for 3 V-only 256 Mbit NAND EEPROMs

机译：0.67μm 2 自对准浅沟槽隔离单元（SA-STI单元）仅用于3 V的256 Mbit NAND EEPROM
- 作者：Aritome S.;Satoh S.;Maruyama T.;Watanabe H.;Shuto S.;Hemink G.J.;Shirota R.;Watanabe S.;Masuoka F.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 1994. IEDM '94. Technical Digest., International》
13.A dual-bit split-gate EEPROM (DSG) cell in contactless array forsingle-Vcc high density flash memories

机译：非接触式阵列中的双位分裂栅EEPROM（DSG）单元，用于单Vcc高密度闪存
- 作者：Ma Y.;Pang C.S.;Chang K.T.;Tsao S.C.;Frayer J.E.;Taehyoung Kim;Kwanghyun Jo;Jeoungwoo Kim;Ilhyun Choi;Heungsup Park
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 1994. IEDM '94. Technical Digest., International》
14.A new write/erase method for the reduction of the stress-inducedleakage current based on the deactivation of step tunneling sites forflash memories

机译：一种新的写/擦除方法，用于减少压力引起的压力基于台阶隧穿部位失活的漏电流快闪记忆体
- 作者：Endoh T.;Shimizu K.;Iizuka H.;Watanabe S.;Masuoka F.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 1994. IEDM '94. Technical Digest., International》
15.A novel band-to-band tunneling induced convergence mechanism forlow current, high density flash EEPROM applications

机译：一种新颖的带间隧穿诱导收敛机制低电流，高密度闪存EEPROM应用
- 作者：Shum D.P.;Swift C.T.;Higman J.M.;Taylor W.J.;Kuo-Tung Chang;Ko-Min Chang;Yeargain J.R.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 1994. IEDM '94. Technical Digest., International》
16.A new cathode for vacuum microelectronic devices: silicon tipavalanche cathode

机译：真空微电子器件的新阴极：硅尖雪崩阴极
- 作者：Sung Ho Jo;Sang Jik Kwon;Jong Duk Lee
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 1994. IEDM '94. Technical Digest., International》
17.A Gbit-scale DRAM stacked capacitor technology with ECR MOCVD SrTiO₃ and RIE patterned RuO₂/TiN storage nodes

机译：具有ECR MOCVD SrTiO的千兆位DRAM堆叠电容器技术_{3 和RIE模式的RuO _{2 / TiN存储节点}}
- 作者：Lesaicherre P.-Y.;Yamamichi S.;Yamaguchi H.;Takemura K.;Watanabe H.;Tokashiki K.;Satoh K.;Sakuma T.;Yoshida M.;Ohnishi S.;Nakajima K.;Shibahara K.;Miyasaka Y.;Ono H.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 1994. IEDM '94. Technical Digest., International》
18.3D modeling of rapid thermal processors for design optimization ofa new flexible RTP system

机译：快速热处理器的3D建模，可优化设计新的灵活RTP系统
- 作者：Yunzhong Chen;Booth L.;Schaper C.;Khuri-Yakub B.T.;Saraswat K.C.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 1994. IEDM '94. Technical Digest., International》
19.CMOS-based technology for integrated optoelectronics: a modularapproach

机译：用于集成光电的基于CMOS的技术：模块化方法
- 作者：Fullin E.;Voirin G.;Chevroulet M.;Lagos A.;Moret J.-M.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 1994. IEDM '94. Technical Digest., International》
20.New (super) self aligned MOS controlled thyristors, (S)SAMCTs,switching 20 A at 4 kV

机译：新的（超级）自对准MOS控制晶闸管（S）SAMCT，在4 kV时切换20 A
- 作者：Dettmer H.;Fichtner W.;Bauer P.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 1994. IEDM '94. Technical Digest., International》
21.A novel high speed, high density SRAM cell utilizing a bistableGeSi/Si tunnel diode

机译：利用双稳态的新型高速，高密度SRAM单元GeSi / Si隧道二极管
- 作者：Carns T.K.;Zheng X.;Wang K.L.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 1994. IEDM '94. Technical Digest., International》
22.A new boron diffusion model incorporating the dislocation loopgrowth

机译：结合位错环的新硼扩散模型成长
- 作者：Uwasawa K.;Uchida T.;Ikezawa T.;Hane M.;Matsuki T.;Kato H.;Ishida K.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 1994. IEDM '94. Technical Digest., International》
23.A novel salicide process (SEDAM) for sub-quarter micron CMOSdevices

机译：亚微米微米CMOS的新型自对准硅化物工艺（SEDAM）设备
- 作者：Mogami T.;Wakabayashi H.;Saito Y.;Matsuki T.;Tatsumi T.;Kunio T.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 1994. IEDM '94. Technical Digest., International》
24.A flattened-pear shaped photodiode structure for low smear and highsensitivity CCD image sensors

机译：扁平梨形光电二极管结构，可实现低拖尾和高拖尾灵敏度CCD图像传感器
- 作者：Furumiya M.;Kawakami Y.;Murakami I.;Morimoto M.;Mutoh N.;Orihara K.;Hatano K.;Suwazono S.;Arai K.;Teranishi N.;Hokari Y.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 1994. IEDM '94. Technical Digest., International》
25.A low driving voltage CCD with single layer electrode structure forarea image sensor

机译：具有单层电极结构的低驱动电压CCD，用于区域图像传感器
- 作者：Tanaka N.;Nakamura N.;Matsunaga Y.;Manabe S.;Yoshida O.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 1994. IEDM '94. Technical Digest., International》
26.Progression of multilevel metallization beyond 0.35 microntechnology

机译：超过0.35微米的多级金属化进展技术
- 作者：Pintchovski F.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 1994. IEDM '94. Technical Digest., International》
27.New erase scheme for DINOR flash memory enhancing erase/writecycling endurance characteristics

机译：DINOR闪存的新擦除方案增强了擦除/写入循环耐力特性
- 作者：Tsuji N.;Ajika N.;Yuzuriha K.;Kunori Y.;Hatanaka M.;Miyoshi H.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 1994. IEDM '94. Technical Digest., International》
28.Ta₂O₅ capacitors for 1 Gbit DRAM and beyond

机译：Ta _{2 O _{5 电容器，用于1 Gbit DRAM及更高}}
- 作者：Kwon K.W.;Park I.-S.;Han D.H.;Kim E.S.;Ahn S.T.;Lee M.Y.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 1994. IEDM '94. Technical Digest., International》
29.Highly manufacturable process technology for reliable 256 Mbit and1 Gbit DRAMs

机译：高度可制造的工艺技术，可实现可靠的256 Mbit和1 Gbit DRAM
- 作者：Kang H.K.;Kim K.H.;Shin Y.G.;Park I.S.;Ko K.M.;Kim C.G.;Oh K.Y.;Kim S.E.;Hong C.G.;Kwon K.W.;Yoo J.Y.;Kim Y.G.;Lee C.G.;Paick W.S.;Suh D.I.;Park C.J.;Lee S.I.;Ahn S.T.;Hwang C.G.;Lee M.Y.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 1994. IEDM '94. Technical Digest., International》
30.Determination of ultra-thin gate oxide thicknesses for CMOSstructures using quantum effects

机译：CMOS超薄栅极氧化物厚度的确定使用量子效应的结构
- 作者：Rios R.;Arora N.D.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 1994. IEDM '94. Technical Digest., International》
31.Surface melting model for Al reflow into submicron contact-holesand vias

机译：Al回流至亚微米接触孔的表面熔化模型和过孔
- 作者：Hirose K.;Kikuta K.;Yoshida T.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 1994. IEDM '94. Technical Digest., International》
32.AC frequency-resolved measurements for direct extraction of theparasitic resistance of individual MOSFETs

机译：交流频率分辨测量可直接提取单个MOSFET的寄生电阻
- 作者：Selmi L.;Alfieri A.;Ricco B.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 1994. IEDM '94. Technical Digest., International》
33.W/WNx/poly-Si gate technology for future high speed deep submicronCMOS LSIs

机译：W / WNx / poly-Si门技术可用于未来的高速深亚微米CMOS LSI
- 作者：Kasai K.;Akasaka Y.;Nakajima K.;Suehiro S.;Suguro K.;Oyamatsu H.;Kinugawa M.;Kakumu M.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 1994. IEDM '94. Technical Digest., International》
34.Epitaxial diamond Schottky barrier diode with on/off current ratiosin excess of 107 at high temperatures

机译：具有开/关电流比的外延金刚石肖特基势垒二极管在高温下超过10 7
- 作者：Ebert W.;Vescan A.;Borst T.H.;Kohn E.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 1994. IEDM '94. Technical Digest., International》
35.High-temperature GaN/SiC heterojunction bipolar transistor withhigh gain

机译：具有以下特性的高温GaN / SiC异质结双极晶体管高增益
- 作者：Pankove J.;Chang S.S.;Lee H.C.;Molnar R.J.;Moustakas T.D.;Van Zeghbroeck B.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 1994. IEDM '94. Technical Digest., International》
36.Most promising metal-to-metal antifuse based 10 nm-thickp-SiN_x film for high density and high speed FPGA application

机译：最有前途的基于金属对金属的反熔丝，厚度为10 nmp-SiN _{x 膜用于高密度和高速FPGA应用}
- 作者：Tamura Y.;Shinriki H.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 1994. IEDM '94. Technical Digest., International》
37.The solution of over-erase problem controlling poly-Si grainsize-modified scaling principles for flash memory

机译：控制多晶硅晶粒过度擦除问题的解决方案闪存的尺寸修改缩放原则
- 作者：Muramatsu S.;Kubota T.;Nishio N.;Shirai H.;Matsuo M.;Kodama N.;Horikawa M.;Saito S.;Arai K.;Okazawa T.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 1994. IEDM '94. Technical Digest., International》
38.Modelling and simulation of high speed, high voltage bipolar SOItransistor with fully depleted collector

机译：高速高压双极性SOI的建模与仿真集电极完全耗尽的晶体管
- 作者：Arnborg T.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 1994. IEDM '94. Technical Digest., International》
39.Monte Carlo study of impact ionization phenomena in small geometryMOSFET's

机译：小几何形状中碰撞电离现象的蒙特卡洛研究MOSFET的
- 作者：Taniguchi K.;Yamaji M.;Sonoda K.;Kunikiyo T.;Hamaguchi C.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 1994. IEDM '94. Technical Digest., International》
40.Novel transport simulation of vertically-grown MOSFETs by cellularautomaton method

机译：单元格垂直生长MOSFET的新型传输模拟自动机方法
- 作者：Rein A.;Zandler G.;Saraniti M.;Lugli P.;Vogl P.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 1994. IEDM '94. Technical Digest., International》
41.An advanced calibration method for modelling oxidation andmechanical stress in sub-micron CMOS isolation structures

机译：用于模拟氧化和氧化的先进校准方法亚微米CMOS隔离结构中的机械应力
- 作者：Jones S.K.;Poncet A.;De Wolf I.;Ahmed M.M.;Rothwell W.J.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 1994. IEDM '94. Technical Digest., International》
42.Low-temperature integrated process below 500° C for thinTa₂O₅ capacitor for giga-bit DRAMs

机译：低于500°C的低温集成工艺可实现薄型用于千兆位DRAM的Ta _{2 O _{5 电容器}}
- 作者：Takaishi Y.;Sakao M.;Kamiyama S.;Suzuki H.;Watanabe H.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 1994. IEDM '94. Technical Digest., International》
43.Satellite TWT-amplifiers using the microwave power module conceptand radiation cooled collectors

机译：使用微波功率模块概念的卫星TWT放大器和辐射冷却的收集器
- 作者：Kornfeld G.K.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 1994. IEDM '94. Technical Digest., International》
44.Dynamic performance and leakage current characteristics of1/4-micron-gate ultra-thin CMOS/SIMOX gate array

机译：动态性能和漏电流特性1/4微米栅极超薄CMOS / SIMOX门阵列
- 作者：Kado Y.;Ohno T.;Sakakibara Y.;Kawai Y.;Yamamoto E.;Ohtaka A.;Tsuchiya T.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 1994. IEDM '94. Technical Digest., International》
45.1G DRAM cell with diagonal bit-line (DBL) configuration and edgeoperation MOS (EOS) FET

机译：具有对角位线（DBL）配置和边缘的1G DRAM单元操作MOS（EOS）FET
- 作者：Shibahara K.;Mori H.;Ohnishi S.;Oikawa R.;Nakajima K.;Kojima Y.;Yamashita H.;Itoh K.;Kamiyama S.;Watanabe H.;Hamada T.;Koyama K.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 1994. IEDM '94. Technical Digest., International》
46.Theoretical and experimental studies of micromachined hot-wireanemometers

机译：微加工热丝的理论和实验研究风速计
- 作者：Fukang Jiang;Yu-Chong Tai;Chih-Ming Ho;Karan R.;Garstenauer M.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 1994. IEDM '94. Technical Digest., International》
47.Novel integrated thermal pressure gauge and read-out circuit byCMOS IC technology

机译：新型集成热压计和读出电路CMOS IC技术
- 作者：Paul O.;Haberli A.;Malcovati P.;Baltes H.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 1994. IEDM '94. Technical Digest., International》
48.New contact process using soft etch for stable ohmiccharacteristics and its application to 0.1 micron CMOS devices

机译：采用软蚀刻的新接触工艺可实现稳定的欧姆特性及其在0.1微米CMOS器件中的应用
- 作者：Sumi H.;Yanagida T.;Sugano Y.;Sasserath J.N.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 1994. IEDM '94. Technical Digest., International》
49.Impact of the minority carrier outflow (MCO) effect on theα-particle-induced soft error of scaled DRAMs

机译：少数载流子流出（MCO）效应对α粒子引起的缩放DRAM的软错误
- 作者：Oowaki Y.;Mabuchi K.;Hasegawa T.;Manabe S.;Watanabe S.;Ohuchi K.;Masuoka F.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 1994. IEDM '94. Technical Digest., International》
50.Bias and temperature dependence of gate and substrate currents inn-MOSFETS at low drain voltage

机译：栅极和衬底电流的偏置和温度依赖性低漏极电压下的n-MOSFET
- 作者：Esseni D.;Selmi L.;Bez A.;Sangiorgi E.;Ricco B.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 1994. IEDM '94. Technical Digest., International》
51.A combined transport-injection model for hot-electron and hot-holeinjection in the gate oxide of MOS structures

机译：热电子和热空穴的输运-注入组合模型注入MOS结构的栅极氧化物
- 作者：Ghetti A.;Selmi L.;Sangiorgi E.;Abramo A.;Venturi F.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 1994. IEDM '94. Technical Digest., International》
52.A 3.6 GHz dual modulus prescaler IC using optimal pseudomorphicHEMT structure on Si substrates

机译：使用最佳伪形态的3.6 GHz双模预分频器IC硅衬底上的HEMT结构
- 作者：Suehiro H.;Ohori T.;Nakasha Y.;Miyata T.;Watanabe Y.;Kuroda S.;Takikawa M.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 1994. IEDM '94. Technical Digest., International》
53.Modelling of breakdown voltage and its temperature dependence inSAGCM InP/InGaAs avalanche photodiodes

机译：击穿电压的建模及其与温度的关系SAGCM InP / InGaAs雪崩光电二极管
- 作者：Ma C.L.F.;Deen M.J.;Tarof L.E.;Yu J.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 1994. IEDM '94. Technical Digest., International》
54.Plasma-induced in-line charging and damage in non-volatile memorydevices

机译：等离子体引起的串联充电以及非易失性存储器中的损坏设备
- 作者：Hao Fang;Haddad S.;Chi Chang;Jih Lien
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 1994. IEDM '94. Technical Digest., International》
55.Electrothermal behavior of deep submicron nMOS transistors underhigh current snapback (ESD/EOS) conditions

机译：深亚微米nMOS晶体管在温度下的电热行为高电流回跳（ESD / EOS）条件
- 作者：Amerasekera A.;Seitchik J.A.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 1994. IEDM '94. Technical Digest., International》
56.Mixed-voltage interface ESD protection circuits for advancedmicroprocessors in shallow trench and LOCOS isolation CMOS technologies

机译：混合电压接口ESD保护电路，用于高级浅沟槽中的微处理器和LOCOS隔离CMOS技术
- 作者：Voldman S.H.;Gerosa G.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 1994. IEDM '94. Technical Digest., International》
57.Application of semiclassical device simulation to trade-off studiesfor sub-0.1 μm MOSFETs

机译：半经典设备仿真在权衡研究中的应用适用于0.1μm以下的MOSFET
- 作者：Fiegna C.;Iwai H.;Saito M.;Sangiorgi E.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 1994. IEDM '94. Technical Digest., International》
58.A dynamic threshold voltage MOSFET (DTMOS) for ultra-low voltageoperation

机译：用于超低电压的动态阈值电压MOSFET（DTMOS）操作
- 作者：Assaderaghi F.;Sinitsky D.;Parke S.;Bokor J.;Ko P.K.;Chenming Hu
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 1994. IEDM '94. Technical Digest., International》
59.A highly practical modified LOCOS isolation technology for the 256Mbit DRAM

机译：256型高度实用的改良LOCOS隔离技术兆位DRAM
- 作者：Ahn D.H.;Ahn S.J.;Griffin P.B.;Hwang M.W.;Lee W.S.;Ahn S.T.;Hwang C.G.;Lee M.Y.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 1994. IEDM '94. Technical Digest., International》
60.A new approach to implement 0.1 μm MOSFET on thin-film SOIsubstrate with self-aligned source-body contact

机译：在薄膜SOI上实现0.1μmMOSFET的新方法具有自对准源体接触的基板
- 作者：Chen V.M.C.;Woo J.C.S.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 1994. IEDM '94. Technical Digest., International》
61.Tunneling gate oxide approach to ultra-high current drive in smallgeometry MOSFETs

机译：隧道栅氧化物方法可在小范围内实现超大电流驱动几何MOSFET
- 作者：Momose H.S.;Ono M.;Yoshitomi T.;Ohguro T.;Nakamura S.;Saito M.;Iwai H.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 1994. IEDM '94. Technical Digest., International》
62.ECR plasma oxidation effects on performance and stability ofpolysilicon thin film transistors

机译：ECR等离子体氧化对其性能和稳定性的影响多晶硅薄膜晶体管
- 作者：Jung-Yeal Lee;Chul-Hi Han;Choong-Ki Kim
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 1994. IEDM '94. Technical Digest., International》
63.Experimental study of quasi-optical mode converters for high ordermode gyrotrons

机译：高阶准光模转换器的实验研究模式回旋管
- 作者：Blank M.;Kreischer K.E.;Temkin R.J.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 1994. IEDM '94. Technical Digest., International》
64.Self-aligned integration of 8×1 micromachined micro-Fresnellens arrays and 8×1 vertical cavity surface emitting laser arraysfor free-space optical interconnect

机译：8×1微加工微菲涅耳的自对准集成透镜阵列和8×1垂直腔表面发射激光器阵列用于自由空间光互连
- 作者：Lee S.S.;Lin L.Y.;Pister K.S.J.;Wu M.C.;Lee C.;Grodzinski P.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 1994. IEDM '94. Technical Digest., International》
65.Integration of high-voltage NMOS devices into a sub micron BiCMOSprocess using simple structural changes

机译：将高压NMOS器件集成到亚微米BiCMOS中使用简单的结构更改过程
- 作者：Yong Qiane Li;Salama C.A.T.;Seufert M.;Schvan P.;King M.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 1994. IEDM '94. Technical Digest., International》
66.Operation of a megawatt 110 GHz gyrotron with an internal modeconverter

机译：具有内部模式的兆瓦110 GHz旋流器的运行转换器
- 作者：Kreischer K.E.;Blank M.;Danly B.G.;Kimura T.;Temkin R.J.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 1994. IEDM '94. Technical Digest., International》
67.Solution of the Boltzmann transport equation in two real-spacedimensions using a spherical harmonic expansion in momentum space

机译：两个实空间中玻尔兹曼输运方程的解动量空间中使用球谐展开的尺寸
- 作者：Rahmat K.;White J.;Antoniadis D.A.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 1994. IEDM '94. Technical Digest., International》
68.A novel high pressure low temperature aluminum plug technology forsub-0.5 μm contact/via geometries

机译：一种新颖的高压低温铝塞技术小于0.5μm接触/通过几何
- 作者：Dixit G.A.;Chisholm M.F.;Jain M.K.;Weaver T.;Ting L.M.;Pearch S.;Mizobuchi K.;Havemann R.H.;Dobson C.D.;Jeffryes A.I.;Holverson P.J.;Rich P.;Butler D.C.;Hems J.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 1994. IEDM '94. Technical Digest., International》
69.A 0.1 μm CMOS technology with tilt-implanted punchthroughstopper (TIPS)

机译：0.1μmCMOS技术，具有倾斜注入的穿通孔塞子（TIPS）
- 作者：Hori T.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 1994. IEDM '94. Technical Digest., International》
70.A study of design/process dependence of 0.25 μm gate length CMOS

机译：0.25μm栅极长度CMOS的设计/工艺依赖性研究
- 作者：Rodder M.;Amerasekera A.;Aur S.;Chen I.C.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 1994. IEDM '94. Technical Digest., International》
71.A 47 GHz bipolar process with an ultra shallow ion implanted baseof 35 nm

机译：具有超浅离子注入基极的47 GHz双极工艺35 nm
- 作者：Mahnkopf R.;Bianco M.;Klose H.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 1994. IEDM '94. Technical Digest., International》
72.A multiple target sputter system with enhanced wafer uniformity,lifetime uniformity, and wafer scaleability

机译：具有增强的晶圆均匀性的多靶溅射系统，寿命均匀性和晶圆可缩放性
- 作者：Bang D.S.;Saraswat K.C.;Krivokapic Z.;McVittie J.P.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 1994. IEDM '94. Technical Digest., International》
73.A comprehensive study of MOSFET electron mobility in both weak andstrong inversion regimes

机译：MOSFET在弱和弱电子迁移率方面的综合研究强反演制度
- 作者：Koga J.;Takagi S.;Toriumi A.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 1994. IEDM '94. Technical Digest., International》
74.A 0.05 μm-CMOS with ultra shallow source/drain junctionsfabricated by 5 keV ion implantation and rapid thermal annealing

机译：具有超浅源极/漏极结的0.05μmCMOS通过5 keV离子注入和快速热退火制备
- 作者：Hori A.;Nakaoka H.;Umimoto H.;Yamashita K.;Takase M.;Shimizu N.;Mizuno B.;Odanaka S.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 1994. IEDM '94. Technical Digest., International》
75.A 200 mm SiGe-HBT technology for wireless and mixed-signalapplications

机译：用于无线和混合信号的200 mm SiGe-HBT技术应用领域
- 作者：Harame D.L.;Schonenberg K.;Gilbert M.;Nguyen-Ngoc D.;Malinowski J.;Jeng S.-J.;Meyerson B.;Cressler J.D.;Groves R.;Berg G.;Tallman K.;Stein K.;Hueckel G.;Kermarrec C.;Tice T.;Fitzgibbons G.;Walter K.;Colavito D.;Houghton T.;Greco N.;Kebede T.;Cunningham B.;Subbanna S.;Comfort J.H.;Crabbe E.F.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 1994. IEDM '94. Technical Digest., International》
76.A novel approach for leakage current reduction of LPCVD Ta₂O₅ and TiO₂ films by rapid thermal N₂O annealing

机译：降低LPCVD Ta _{2泄漏电流的新方法快速热N _{2对 O _{5 和TiO _{2 薄膜的影响 O退火}}}}
- 作者：Sun S.C.;Chen T.F.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 1994. IEDM '94. Technical Digest., International》
77.A high performance 0.35 μm logic technology for 3.3 V and 2.5 Voperation

机译：适用于3.3 V和2.5 V的高性能0.35μm逻辑技术操作
- 作者：Bohr M.;Ahmed S.U.;Brigham L.;Chau R.;Gasser R.;Green R.;Hargrove W.;Lee E.;Natter R.;Thompson S.;Weldon K.;Yang S.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 1994. IEDM '94. Technical Digest., International》
78.A continuous and general model for boron diffusion duringpost-implant annealing including damaged and amorphizing conditions

机译：硼扩散过程中的连续通用模型植入后退火，包括受损和非晶化条件
- 作者：Baccus B.;Vandenbossche E.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 1994. IEDM '94. Technical Digest., International》
79.Dual polycide gate and dual buried contact technologies achieving a0.4 μm nMOS/pMOS spacing for a 7.65 μm2 full-CMOS SRAMcell

机译：双多晶硅化物栅极和双掩埋接触技术实现了0.45m nMOS / pMOS间距，用于7.65μm 2 全CMOS SRAM细胞
- 作者：Koike H.;Unno Y.;Ishimaru K.;Matsuoka F.;Kakumu M.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 1994. IEDM '94. Technical Digest., International》
80.Development of a high power and long pulse gyrotron with collectorpotential depression

机译：集热器大功率长脉冲回旋管的研制潜在的抑郁
- 作者：Kasugai A.;Sakamoto K.;Tsuneoka M.;Takahashi K.;Maebara S.;Imai T.;Kariya T.;Okazaki Y.;Hayashi K.;Mitsunaka Y.;Hirata Y.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 1994. IEDM '94. Technical Digest., International》
81.E-beam re-aligned HBTs and a new broadband MMIC power amplifierusing bathtub as heat sink

机译：电子束重新调整了HBT和新的宽带MMIC功率放大器使用浴缸作为散热器
- 作者：Yang L.W.;Komiak J.J.;Kao M.Y.;Houston D.E.;Smith D.P.;Norheden K.J.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 1994. IEDM '94. Technical Digest., International》
82.A half-micron ferroelectric memory cell technology with stackedcapacitor structure

机译：堆叠式半微米铁电存储单元技术电容器结构
- 作者：Onishi S.;Hamada K.;Ishihara K.;Ito Y.;Yokoyama S.;Kudo J.;Sakiyama K.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 1994. IEDM '94. Technical Digest., International》
83.Voltage controlled spectral response inn-SnO₂/a-SiC/metal photodetector

机译：电压控制的频谱响应n-SnO _{2 / a-SiC /金属光电探测器}
- 作者：Rossi M.C.;Vincenzoni N.;Galluzzi F.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 1994. IEDM '94. Technical Digest., International》
84.A 1/4' true progressive scan 640(H)*480(V) FT-CCD for multimediaapplications

机译：用于多媒体的1/4英寸真正逐行扫描640（H）* 480（V）FT-CCD应用领域
- 作者：Bosiers J.T.;Roks E.;Peek H.L.;Boersma Y.A.;Van der Beyden J.M.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 1994. IEDM '94. Technical Digest., International》
85.200 mm process integration for a 0.15 μm channel-length CMOStechnology using mixed X-ray/optical lithography

机译：200 mm工艺集成，适用于0.15μm沟道长度CMOSX射线/光学混合光刻技术
- 作者：Subbanna S.;Ganin E.;Crabbe E.;Comfort J.;Wu S.;Agnello P.;Martin B.;McCord M.;Ng H.;Newman T.;McFarland P.;Sun J.;Snare J.;Acovic A.;Ray A.;Gehres R.;Schulz R.;Greco S.;Beyer E.;Liebmann L.;DellaGuardia R.;Lamberti A.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 1994. IEDM '94. Technical Digest., International》
86.A novel CoSi₂ thin film process with improved thicknessscalability and thermal stability

机译：厚度提高的新型CoSi _{2 薄膜工艺可扩展性和热稳定性}
- 作者：Wei-Ming Chen;Jengping Lin;Lee J.C.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 1994. IEDM '94. Technical Digest., International》
87.A highly-sensitive and low power SOI lateral thyristivemagnetometer

机译：高灵敏度，低功耗SOI侧晶闸管磁力计
- 作者：Lau J.;Nguyen C.T.;Ko P.K.;Chan P.C.H.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 1994. IEDM '94. Technical Digest., International》
88.A novel Al-reflow process using surface modification by the ECRplasma treatment and its application to the 256 Mbit DRAM

机译：使用ECR进行表面改性的新型Al回流工艺等离子体处理及其在256 Mbit DRAM中的应用
- 作者：Park I.S.;Lee S.I.;Wee Y.J.;Jung W.S.;Choi G.H.;Park C.S.;Park S.H.;Ahn S.T.;Lee M.Y.;Kim Y.K.;Reynolds R.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 1994. IEDM '94. Technical Digest., International》
89.Aluminum-germanium-copper multilevel damascene process using lowtemperature reflow sputtering and chemical mechanical polishing

机译：低铝铝锗铜多级镶嵌工艺温度回流溅射和化学机械抛光
- 作者：Kikuta K.;Hayashi Y.;Nakajima T.;Harashima K.;Kikkawa T.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 1994. IEDM '94. Technical Digest., International》
90.Investigation of electron emission from bulk (Pb,La)(Zr,Ti)O₃ ferroelectric ceramics

机译：体（Pb，La）（Zr，Ti）O _{3的电子发射研究铁电陶瓷}
- 作者：Cavazos T.;Wilbanks W.;Fleddermann C.;Shiffler D.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 1994. IEDM '94. Technical Digest., International》
91.Characterization and model of the hot-carrier-induced offsetvoltage of analog CMOS differential stages

机译：热载流子引起的偏移的表征和模型模拟CMOS差分级的电压
- 作者：Thewes R.;Goser K.;Weber W.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 1994. IEDM '94. Technical Digest., International》
92.Theoretical and experimental investigation of gyrotron amplifiersfor collider applications

机译：回旋加速器的理论和实验研究用于对撞机应用
- 作者：Lawson W.;Calame J.P.;Cheng J.;Castle M.;Latham P.E.;Hogan B.;Granatstein V.L.;Reiser M.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 1994. IEDM '94. Technical Digest., International》
93.Microwave/millimeter-wave power HBTs with regrown extrinsic baselayers

机译：带外生基底的微波/毫米波功率HBT层数
- 作者：Amamiya Y.;Chang-Woo Kim;Goto N.;Tanaka S.;Furuhata N.;Shimawaki H.;Honjo K.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 1994. IEDM '94. Technical Digest., International》
94.2 V-operation pseudomorphic power HEMT with 62 power-addedefficiency for cellular phones

机译：2 V操作伪晶功率HEMT，附加功率为62％手机的效率
- 作者：Ono H.;Umemoto Y.;Ichikawa H.;Mori M.;Kudo M.;Kagaya O.;Imamura Y.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 1994. IEDM '94. Technical Digest., International》
95.Micromechanical resonators for frequency references and signalprocessing

机译：用于频率参考和信号的微机械谐振器处理中
- 作者：Howe R.T.;Nguyen C.T.-C.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 1994. IEDM '94. Technical Digest., International》
96.Multi emitter finger SiGe-HBTs with f_max up to 120 GHz

机译：f _{max 高达120 GHz的多发射极手指SiGe-HBT}
- 作者：Schuppen A.;Gruhle A.;Erben U.;Kibbel H.;Konig U.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 1994. IEDM '94. Technical Digest., International》
97.Optimized Ge channel profiles for VLSI compatible Si/SiGep-MOSFET's

机译：针对VLSI兼容的Si / SiGe的优化Ge通道配置文件p-MOSFET的
- 作者：Voinigescu S.P.;Salama C.A.T.;Noel J.-P.;Kamins T.I.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 1994. IEDM '94. Technical Digest., International》
98.Interface trap induced thermionic and field emission current inoff-state MOSFET's

机译：界面陷阱引起的热电子和场发射电流断态MOSFET
- 作者：Tahui Wang;Tse-En Chang;Chimoon Huang
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 1994. IEDM '94. Technical Digest., International》
99.Pass transistor designs using pocket implant to improvemanufacturability for 256 Mbit DRAM and beyond

机译：通过使用口袋注入的晶体管设计来改进256 Mbit DRAM及更高的可制造性
- 作者：Chatterjee A.;Liu J.;Aur S.;Mozumder P.K.;Rodder M.;Chen I.-C.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 1994. IEDM '94. Technical Digest., International》
100.8×8 array of cascadable optical thyristor devices forfree-space parallel optical interconnects

机译：8×8级联光学晶闸管器件，用于自由空间并行光学互连
- 作者：Heremans P.;Kuijk M.;Knupfer B.;Borghs G.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 1994. IEDM '94. Technical Digest., International》