Aluminum gallium nitride; Charge carrier processes; Gallium nitride; Substrates; Thermal resistance; Transient analysis; GaN HEMT; drain-lag measurement; mutual-heating; self-heating; surface trapping/de-trapping charges; thermal boundary resistance (TBR);
机译:Gan-Cappe AlGaN / GaN和Alinn / GaN Hemts电流电压特性的分析模型,包括热和自热效应
机译:AlGaN / GaN HEMT包括自热和环境温度影响的经验大信号建模的电热模型
机译:具有自热效应的AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管静态电流特性的热模型
机译:在静态和动态操作模式期间在AlGan / GaN电子设备中建模自热效果
机译:GaN / AlGaN器件在关闭和开启状态下的退化建模机制
机译:宽带隙GaN基HEMT功率器件中取决于高温操作的阈值电压稳定性的模型开发
机译:基于AlGaN / AlN / GaN / AlGaN的器件中的自加热和极化效应
机译:sting干扰对标准动力学模型飞机的静态动态和基础压力测量的影响,马赫数为0.3到1.3