AlGaN/GaN太赫兹量子级联激光器有源区结构的模拟设计方法

摘要

AlGaN/GaN太赫兹量子级联激光器有源区结构的模拟设计方法，它涉及太赫兹量子级联激光器有源区结构的模拟设计方法。方法：一、确定一维有效质量薛定谔方程中所需的参数；二、求解薛定谔方程；三、计算ΔE₂₁、ΔE₃₂、和ΔE_1′3；四、判断；五、搜索最佳结构；六、输出结构。本发明的有源区由n个周期构成，每个周期由三个势垒层和三个势阱层构成。本发明能够应用于太赫兹量子级联激光器有源区的设计上。本发明的优点在于充分利用纵向光学声子散射原理与隧穿原理，同时可以搜索出最佳的有源区结构。