University of Florida;
机译:质子辐照的AlGaN / AlN / GaN HEMT中负责器件降解的静电机制
机译:导通态栅极偏置引起p-GaN栅极AlGaN / GaN功率器件泄漏电流增加的机理
机译:AlGaN / GaN-on-Si器件中的垂直泄漏/击穿机制
机译:基于ALGAN / GAN的微波器件劣化机制的失效模式和效应临界分析(FMECA)
机译:透射电子显微镜探索GaN的电子器件的物理缺陷和降解机制
机译:Algan / GaN在没有GaN缓冲层的SIC器件上:电气和噪声特性
机译:2 MeV质子辐照的AlGaN / GaN HEMT的降解机理