semiconductor device models; semiconductor device measurement; electric resistance; power bipolar transistors; high speed bipolar power transistors; long-emitter bipolar transistors; DC current capability degradation; emitter finger distributed resis;
机译:AlGaAs / GaAs异质结双极晶体管在高电流密度-低温应力下的短期直流电流增益变化分析
机译:SOI横向双极晶体管的器件设计和驱动电流能力
机译:具有高速,增益和电流驱动能力的InP / InGaAs双异质结双极晶体管
机译:长发射极双极晶体管中的直流电流能力的降解
机译:现代双极晶体管的总剂量增益下降。
机译:用于微流体中多功能样品处理的双极直流流场效应晶体管:德拜-哈克尔极限下的理论分析
机译:由于辐射,电气和机械应力,双极结型晶体管的电流增益降低