Ge-on-Si(111) 及びGe(111) 基板上の歪みSi_(1-x)Ge_x の臨界膜厚

摘要

近年Ge(111)は、電子の移動度が高いことや、高品質強磁性体のエピタキシャル成長が可能であり、スピントロニクスに応用できることから注目を集めている。さらにGe 上に歪みSi_(1-ｘ)Ge_ｘ(111)チャネルを形成することで歪み効果による特性向上が期待される。本研究では、高品質な歪みSi_(1-ｘ)Ge_ｘ層の形成に向け、その歪み緩和初期過程を詳細に調べ、実験的に臨界膜厚(tc)を決定した。その結果、tc は、Ge-on-Si(111)及びGe(111)基板上で大きく異なることが分かったので報告する。