ガラス基板上(100)CW レーザー結晶化におけるSi 薄膜の膜厚依存性

摘要

a-Si 薄膜の1回スキャンによるCW レーザーラテラル結晶化では、従来、ストライプ状の反射防止膜やChevron 形ビーム形状法により、結晶化領域からの結晶粒界除去は可能であったが、結晶表面の面方位は制御できず、スキャンに伴い表面方位は変化していく。また、楕円型の線状ビームによるベタ膜結晶化では、結晶粒界も結晶方位も制御できない。一方、10回から100回の重ねレーザー照射法では(100)優先配向が得られるものの結晶粒界が残ってしまう。最近、我々は、新しい線状ビームを利用する事で、空気中、1回のスキャンによる（100）表面配向膜の成長に、溶融石英基板上で成功した。本報告では、本結晶成長法のガラス基板上への応用と、(100)表面配向のa-Si 膜厚依存性を検討した。