CWレーザ結晶化によるガラス基板上の単結晶Si薄膜トランジスタの形成技術

摘要

エネルギー安定性の非常に高い半導体励起固体(DPSS) CWレ-ザ(Nd: YVO{sub}4, 532nm, 10W) を利用して選択的にTFTチャネル領域を単結晶化する新しい結晶成長方法について報告する。本方法を利用してチャネル領域全域にわたって単結晶化することに成功した。 単結晶化領域は幅8μm×長さ20μmである。 450℃のプロセスを利用して300×300mm{sup}2のガラス基板上にTFTを作製した結果、n-chでは、移動度が580 cm{sup}2/Vs、S-value 0.24V/dec、p-chの移動度は330 cm{sup}2/Vs、 S-value 0.21V/dec、と単結晶Si-TFTに匹敵する移動度を得た。