机译:193 nm单层光刻胶的曝光后延迟稳定性:溶剂效应
机译:在短时间碳氟化合物等离子体曝光期间对193 nm光致抗蚀剂降解的研究。二。光刻胶降解的等离子体参数趋势
机译:短时间氟碳等离子体暴露下193 Nm光致抗蚀剂降解的研究Ⅲ。碳氟化合物薄膜和初始表面条件对光致抗蚀剂降解的影响
机译:基于环烯烃的交替共聚物的193-nm单层光致抗蚀剂:使用氨基磺酸的光生剂
机译:用于193 nm曝光的光致抗蚀剂材料的合成
机译:SU-8光刻胶的185 nm扩散光光刻技术原型制作的具有轴突分离的微流体长期梯度发生器
机译:基于环烯烃马来酸酐聚合物的新的193nm单层抗蚀剂。