The University of Texas at Austin;
机译:在短时间碳氟化合物等离子体曝光期间对193 nm光致抗蚀剂降解的研究。二。光刻胶降解的等离子体参数趋势
机译:一氧化氮介导的聚合反应合成窄分子量分布的降冰片烯-内酯官能化聚合物:193 nm光刻胶材料的候选材料
机译:短时间氟碳等离子体暴露下193 Nm光致抗蚀剂降解的研究Ⅲ。碳氟化合物薄膜和初始表面条件对光致抗蚀剂降解的影响
机译:基于ROMA聚合物的高性能193nm光刻胶材料;电阻回流低于90nm的接触孔应用
机译:真空紫外定向设计,157 nm光刻胶材料的合成与开发
机译:人造纳米材料的环境暴露评估问题
机译:通过氮氧化物介导的聚合合成窄分子量分布的降冰片烯 - 内酯功能化聚合物:193nm光刻胶材料的候选者