表面活性化接合法により作製したダイヤモンド基板上GaNデバイス

摘要

近年、高周波帯での電力增幅デバイス用材料として、窒化ガリウム（GaN)を中心とした窒化物半導体の適用が進hでいる。これらの用途では、AlGaN層をGaN層表面に薄く形成し、積層界面付近に誘起された高密度の分極電荷層（2次元電子ガス層）を積極的に活用した、高電子移動度トランジスタ（High Electron Mobility Transistor, HEMT)と呼ばれる構造が用いられている。