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電子デバイス研究会
電子デバイス研究会
召开年:
2020
召开地:
日光市(JP)
出版时间:
-
会议文集:
-
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1.
Sonyの半導体レーザ開発の現状と展望
机译:
索尼半导体激光器发展的现状与前景
作者:
若林 和弥
会议名称:
《電子デバイス研究会》
|
2020年
关键词:
半導体レーザ;
面発光レーザ;
センシング;
TOF;
2.
ディープリセス構造によるノーマリオフ型GaN MOSFETsの短チャンネル効果改善
机译:
深凹槽结构改善了常关型GaN MOSFET的短沟道效应
作者:
加藤 大望
;
梶原 瑛祐
;
向井 章
;
大野 浩志
;
新留 彩
;
田島 純平
;
彦坂 年輝
;
蔵ロ 雅彦
;
布上 真也
会议名称:
《電子デバイス研究会》
|
2020年
关键词:
リセスゲート構造;
ノーマリオフ;
GaN MOSFET;
短チャンネル効果;
3.
超1THz動作実現にむけた基板転写InP DHBTのエピタキシャル成長技術
机译:
衬底转移InP DHBT的外延生长技术可实现超1THz操作
作者:
星 拓也
;
白鳥 悠太
;
松崎 秀昭
会议名称:
《電子デバイス研究会》
|
2020年
关键词:
InPヘテロ接合バイポーラトランジスタ;
エピタキシャル成長;
有機金属化学気相堆積;
基板転写;
4.
650V耐圧車載グレードのGaNパワートランジスタの開発
机译:
650V耐压汽车级GaN功率晶体管的开发
作者:
庄野 健
;
細田 勉
;
今西健治
;
浅井祥守
会议名称:
《電子デバイス研究会》
|
2020年
关键词:
GaN on Si;
パワートランジスタ;
信頼性;
AEC-Q101;
車載;
JEDEC;
5.
表面活性化接合法により作製したダイヤモンド基板上GaNデバイス
机译:
通过表面活化键合方法在金刚石基底上的GaN器件
作者:
檜座 秀一
;
藤川 正洋
;
滝口 雄貴
;
西村 邦彦
;
柳生 栄治
;
山向 幹雄
;
松前 貴司
;
倉島 優一
;
高木 秀榭
会议名称:
《電子デバイス研究会》
|
2020年
关键词:
窒化ガリウム;
ダイヤモンド;
高周波デバイス;
高電子移動度トランジスタ;
接合;
研磨;
放熱;
6.
低RonQoss特性を有するGaN基板上GaNトランジスタを用いた高効率•MHz級高速駆動昇圧DC-DCコンバータの開発
机译:
•在具有低RonQoss特性的GaN衬底上使用GaN晶体管开发高效率•MHz级的高速驱动升压DC-DC转换器
作者:
宇治田 信二
;
半田 浩之
;
楊 忠數
;
柴田 大輔
;
小川 雅弘
;
田中 健一郎
;
田村 聡之
;
初田 次康
会议名称:
《電子デバイス研究会》
|
2020年
关键词:
GaN基板;
ノーマリオフ;
低オン抵抗;
高周波駆動;
ソフトスイッチング;
コンバータ;
7.
SiC-MOSFETの回路シミュレーションモデルの開発
机译:
SiC-MOSFET电路仿真模型的开发
作者:
椋木 康滋
会议名称:
《電子デバイス研究会》
|
2020年
关键词:
回路シミュレーションモデル;
SiC-MOSFET;
出力特性;
寄生容量;
8.
ワイドバンドギャップ半導体を利用した量子センサ開発
机译:
使用宽带隙半导体的量子传感器开发
作者:
小野田 忍
;
大島 武
;
磯谷 順一
;
寺地 徳之
;
川原田 洋
;
谷井 孝至
;
加田 渉
;
波多野 睦子
会议名称:
《電子デバイス研究会》
|
2020年
关键词:
ワイドバンドギャップ半導体;
ダイヤモンド;
NVセンター;
量子センサ;
9.
炭化ケイ素半導体を用いた耐放射線性イメージセンサの開発
机译:
使用碳化硅半导体的耐辐射图像传感器的开发
作者:
武山 昭憲
;
牧野 高紘
;
山崎 雄一
;
大島 武
;
清水 奎吾
;
田中 保宣
;
西垣内 健汰
;
長谷部 史明
;
目黒 達也
;
黒木 伸一郎
会议名称:
《電子デバイス研究会》
|
2020年
关键词:
炭化ケイ素;
接合型電界効果トランジスタ;
CMOSイメージセンサ;
ガンマ線;
耐放射線;
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