Voltage-controlled oscillators; Phase noise; Tuning; Optimization; Layout; MOSFET;
机译:采用SiGe BiCMOS技术实现的32 GHz低功耗低相位VCO
机译:2至23 GHz BiFET低噪声放大器设计流程以及0.25μmSiGe BiCMOS技术的实现
机译:2至23 GHz BiFET低噪声放大器设计流程以及0.25μmSiGe BiCMOS技术的实现
机译:具有SiGe BiCMOS中的分频器链和缓冲器的低相位噪声61 GHz推压VCO,用于122 GHz ISM应用
机译:在0.13微米CMOS工艺中设计2.4 GHz VCO的比较研究
机译:低相位噪声18 GHz Kerr频率微梳锁相在65 THz以上
机译:完全集成的SiGe低相位噪声推压VCO,适用于82 GHz