利用氧化物和TiN实现自对准四重图形技术工艺设计的优化

摘要

本发明公开一种利用氧化物和TiN实现自对准四重图形技术工艺设计的优化，是将SiON和SoC共同组成芯轴材料，芯轴材料与介质层材料之间沉积一层ploy材料；两层间隔材料分别采用氧化物、TiN，氧化物首先被沉积在芯轴材料上刻蚀形成的芯轴上形成第一层间隔，去除芯轴，保留第一层间隔，随后在氧化物的形成的第一层间隔上沉积TiN形成第二层间隔，之后去除第一层间隔，保留第二层间隔；将第二层间隔形成的图形传递到ploy材料层，在ploy材料层刻蚀完成之后，再将ploy材料层刻蚀形成的图案传递到介质材料层刻蚀，最终完成。本发明采用氧化物和TiN作为间隔材料，实现对自对准四重图形技术工艺方法的优化。