Central Processing Unit; Clocks; Field effect transistors; Flip-flops; Phasor measurement units; Silicon;
机译:由c轴取向晶体材料生长的单晶In-Ga-Zn氧化物膜及其晶体管特性
机译:使用L为60nm的c轴对准晶体氧化物半导体晶体管制备具有3.9 fF存储电容和保留时间大于1小时的动态氧化物半导体随机存取存储器。
机译:使用场效应晶体管的5291-ppi有机发光二极管显示器,包括c轴对齐的晶体氧化物半导体
机译:通过使用180nm C轴对准的晶体In-Ga-Zn氧化物晶体管实现具有零待机功率和1.5时钟休眠/2.5时钟唤醒的32位CPU