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A fully integrated SiGe low phase noise push-push VCO for 82 GHz

机译:完全集成的SiGe低相位噪声推压VCO,适用于82 GHz

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摘要

We present a fully monolithically integrated push-push oscillator fabricated in a production-near SiGe: C bipolar technology. The oscillator out put frequency can be varactor tuned from 80.6 GHz to 82.4 GHz. In this frequency range the measured output power is 3.5±0.4 dBm while the measured single sideband phase noise is less than−105dBc/Hz at 1MHz off set frequency. To our knowledge this phase noise level is the lowest one reported in literature so far for an VCO in this frequency band. The transistors used in this work show a maximum transit frequency fT= 200GHz and a maximum frequency of oscillation fmax =275GHz. For the passive circuitry transmission - line components, MIM-capacitors and integrated resistors are used.
机译:我们介绍了一种采用接近生产的SiGe:C双极技术制造的完全单片集成推挽振荡器。振荡器输出频率可以通过变容二极管从80.6 GHz调谐到82.4 GHz。在此频率范围内,测得的输出功率为3.5±0.4 dBm,而在设定频率1MHz处测得的单边带相位噪声小于−105dBc / Hz。据我们所知,该相位噪声电平是迄今为止该频段中VCO的最低文献报道。在这项工作中使用的晶体管显示最大传输频率fT = 200GHz,最大振荡频率fmax = 275GHz。对于无源电路传输-线路组件,使用MIM电容器和集成电阻器。

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