サブミリ波/THz帯通信実現にむけた化合物半導体電子デバィス技術

摘要

あらましサブミリ波,THz波帯無線通信を実現するデバイス技術として,高周波性能に優れる 111？系トランジスタが注目されている.大気減衰が小さく周波数割り当てがなされていない300GHz帯を用いた通信は,近年の電子デバイス性能の向上もあり,特に研究が活発化している.本 稿では,サブミリ波,THz波帯応用を念頭においたInP系トランジスタ高速化技術とInP送受信にモジュールを用いた300 GHz 帯での伝送実験について紹介する.