[招待講演]ミリ波·サブミリ波帯無線通信に向けた化合物半導体電子デバイスおよび高周波計測技術

摘要

窒化ガリウム（GaN）系高電子移動度トランジスタ（HEMT）等の化合物半導体電子デバイスは，周波数100GHz以上で動作可能であるため超高速無線通信用デバイスとして，またミリ波·サブミリ波帯（30GHz～3THz）における未利用周波数帯開拓のキーデバイスとして注目されている．今回，100nm以下のゲート長（L_g）を有するGaN基板上In_(0.18)Al_(0.82)N/AlN/GaN HEMTの高速·高周波化において最大発振周波数（f_(max)）287GHzを達成したので報告する．また，ミリ波·サブミリ波帯で動作するモノリシック集積回路（MMIC）等の設計に必要不可欠な半導体基板等の比誘電率を測定可能な材料評価システムを設計·開発し，自由空間Sパラメータ法によりインジウムリン（InP）基板，ポリテトラフルオロエチレン（PTFE）フィルムおよびポリスチレン（PS）フィルムの比誘電率を60～220GHzで測定したので報告する．