TFETs; Logic gates; Tunneling; Ions; Silicon germanium; Silicon; Performance evaluation;
机译:从源到漏的直接带间隧道效应引起的In-GaAs / GaAsSb异质结双栅隧道FET的缩放极限
机译:双栅异质结隧道FinFET的表面电势和阈值电压的解析模型
机译:双栅异质结隧穿FET的精确分析电流模型
机译:纳米尺度异质结双栅隧道FET量子机械隧穿的分析近似及纳米
机译:通过隧道外延,使用氮化的热氧化物作为栅绝缘体,开发自对准双栅MOSFET的工艺流程。
机译:具有InAs / Si异质结和源极口袋结构的双栅隧道FET的漏极电流模型
机译:带有INAS / SI异质结和源口袋架构的双栅极隧道FET的排水电流模型