Gallium nitride; Substrates; Current density; Scalability; Electric fields; High-voltage techniques;
机译:具有高雪崩能力的4.9 kV击穿电压垂直GaN p-n结二极管
机译:4.9 kV击穿电压垂直GaN P-n结二极管具有高雪崩功能
机译:5.0 kV击穿电压垂直GaN p-n结二极管
机译:具有10A正向电流和1.6kV击穿电压的垂直GaN-on-GaN p-n二极管
机译:垂直GaN P-N二极管中的缺陷介导的载波传输机制
机译:基于P型伪垂直金刚石肖特基势垒二极管正向电流-电压特性的迁移模型
机译:具有改进的MESA结构的高击穿电压垂直GaN-On-GaN P-I-N二极管的研究