high-k dielectric thin films; MOSFET; plasma materials processing; sputter etching; titanium compounds; work function;
机译:采用高k栅极电介质/金属栅极堆叠的覆盖层的厚度和材料对平坦带电压(V_(FB))和等效氧化物厚度(EOT)的依赖性,适用于先栅工艺应用
机译:Hf基高k电介质上具有多晶硅覆盖层的TiN金属栅的厚度优化
机译:La_2O_3盖层厚度对高K /金属栅叠层n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管热载流子降解的影响
机译:DPRM过程中的高k覆盖层损耗厚度优化,以避免vth偏移
机译:使用可调高k电容器的有源移相器。
机译:电容等效厚度的边界阱提取以反映对300mm Si衬底上原子层沉积High-k / In0.53Ga0.47As的量子力学效应
机译:结合PEALD栅极介电层和原位SiN覆盖层,以减少200mm硅片上AlGaN / GaN HEMT的Vth漂移和RDS-ON分散